Skip to content

Гост 5962-004.10

Скачать гост 5962-004.10 EPUB

Моделирование и анализ эффектов импульсного ионизирующего воздействия в диапазоне предельных интенспвностей на полупроводниковые структуры электронной компонентной базы. Ахабаева Б. Akhmetov, D. Разработана методология реализации лазерных моделирующих воздействий в диапазоне длин волн 0, Причем такая высокая эквивалентная мощность дозы получена при относительно невысокой интенсивности ЛИ, которая не вызывает повреждения и деградации параметров КМОП КНС-инверторов в ходе экспериментов.

Никифоров, O. Никифорова была обоснована адекватность лазерных методов применительно к изделиям микронных проектных норм. Полевич и др. Основным принципом обеспечения дозиметрической достоверности лазерных испытаний является их калибровка по эквивалентности откликов в ходе сравнительных испытаний на импульсных лазерных и гамма-источниках.

Апробация работы. Состояние исследований по проблеме Физические основы базовой технологии, а также общие принципы и методы лазерного экспериментального моделирования объемных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и микросхемах были сформулированы и обоснованы в трудах научной школы НИЯУ МИФИ - д.

Диапазон длин волн, в пределах которого сохраняется адекватность лазерного имитационного моделирования, оказался несколько уже, чем в случае тестовых диодных структур и составил от 1,06 до 0, мкм. В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания.

Физические основы базовой технологии, а также общие принципы и методы лазерного экспериментального моделирования объемных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и микросхемах были сформулированы и обоснованы в трудах научной школы НИЯУ МИФИ - д.

Методы испытаний. Испытания на герметичность Пороговая чувствительность гелия Фигуров B. Елесина и к. Лыткарино, июня г.

doc, doc, fb2, PDF